一、内存的序列的问题

内存序列号

从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SiSoft Sandra2001这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。

内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM内存标注格式

（1）1.0---1.2版本

这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6。5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1。2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

（2）1.2b+版本

其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式

威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。

PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式

其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。

4、RDRAM内存标注格式

其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。

5、各厂商内存芯片编号

内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。

由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，先来看看它们的内存芯片编号。

（1）HYUNDAI（现代）

现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代

表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm

TSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改

换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。

（2）LGS〔LG Semicon〕

LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。

LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi

其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。

例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。

（3）Kingmax(胜创)

Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。

Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的

Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。

KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAXPC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵风金条)

金邦金条分为"金、红、绿、银、蓝"五种内存条，各种金邦金

条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。

金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG-7 AMIR 00 32

其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量=内存基粒容量*基粒数目= 16* 8=128Mbit，其中16=内存基粒容量；8=基粒数目；M=容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针，2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标

识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3V Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256[254]=256Kx、512(514)= 512Kx、1= 1Mx、4= 4Mx、8= 8Mx、16=16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。

三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三

星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4= x4、8= x8、16=x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1= 1M、2= 2M、4= 4M、8=8M、16= 16M）；2代表刷新（0= 4K、1= 2K、2= 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7=7ns[143MHz]、8= 8ns[125 MHz]、10= 10ns[100 MHz]、H= 100MHz@ CAS值为2、L=100 MHz@ CAS值为3）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用"S"后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是

10ns(100 MHz)。

三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA

Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA

三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表内存密度4Mbit（4=4M、8= 8M、16= 16M、32= 32M、64= 64M、12= 128M、25=

256M、51= 512M、1G= 1G、2G= 2G、4G= 4G）；0代表刷新（0= 64m/4K [15.6μs]、1= 32m/2K

[15.6μs]、2= 128m/8K[15.6μs]、3= 64m/8K[7.8μs]、4=128m/16K[7.8μs]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针

TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5= 5ns, 200MHz(400Mbps)、6= 6ns,166MHz(333Mbps)、Y= 6.7ns, 150MHz(300Mbps)、Z= 7.5ns,133MHz(266Mbps)、8= 8ns, 125MHz(250Mbps)、0= 10ns, 100MHz(200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0= 64m/4K

(15.6μs)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP II，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16= x16、18= x18）；RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4= 4M、8=8M、16= 16M）；C代表封装类型（C=微型BGA、D=微型BGA [逆转CSP]、W= WL-CSP）；80代表速度（60= 600Mbps、80= 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。

（6）Micron（美光）

Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j

其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封装（TG=TSOPII封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型

FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度，分成以下四类：

（A）、DRAM-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率@ CL3）-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHzDDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率@ CL=2.5，-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz

（B）、Rambus（时钟率）

-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns+的含义-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）、-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）、DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。例如MT 48 LC 16M8 A2 TG-75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz

（7）其它内存芯片编号

NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表Bank数（3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如为16

位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）；G5为TSOPII封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns〔125MHz CL 3〕，10=10ns〔PC100 CL 3〕，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pin TSOPII；JH=86-pin TSOP-II）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F-B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到"F"了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOII封装；B60代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。

SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f-gh其中ab为容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz〔CL3〕，10=100MHz〔PC66规格〕）。

TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPII封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。

IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8ns〔147MHz〕，75A=7.5NS〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。

二、如何鉴别真假金邦内存

从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SiSoft Sandra2001（下载地址）这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM内存标注格式

（1）1.0---1.2版本

这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6。5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1。2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

（2）1.2b+版本

其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式

威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。

PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式

其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。

4、RDRAM内存标注格式

其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。

5、各厂商内存芯片编号

内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。

由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，先来看看它们的内存芯片编号。

（1）HYUNDAI（现代）

现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。

（2）LGS〔LG Semicon〕

LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。

LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi

其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。

例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。

（3）Kingmax(胜创)

Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。

Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。

KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵风金条)

金邦金条分为"金、红、绿、银、蓝"五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。

金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG-7 AMIR 00 32

其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量=内存基粒容量*基粒数目= 16* 8= 128Mbit，其中16=内存基粒容量；8=基粒数目；M=容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3V Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256[254]= 256Kx、512(514)= 512Kx、1= 1Mx、4= 4Mx、8= 8Mx、16= 16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。

三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4= x4、8= x8、16= x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1= 1M、2= 2M、4= 4M、8= 8M、16= 16M）；2代表刷新（0= 4K、1= 2K、2= 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7= 7ns[143MHz]、8= 8ns[125 MHz]、10= 10ns[100 MHz]、H= 100 MHz@ CAS值为2、L= 100 MHz@ CAS值为3）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用"S"后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。

三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA

Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA

三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表内存密度4Mbit（4=4M、8= 8M、16= 16M、32= 32M、64= 64M、12= 128M、25= 256M、51= 512M、1G= 1G、2G= 2G、4G= 4G）；0代表刷新（0= 64m/4K [15.6μs]、1= 32m/2K [15.6μs]、2= 128m/8K[15.6μs]、3= 64m/8K[7.8μs]、4= 128m/16K[7.8μs]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5= 5ns, 200MHz(400Mbps)、6= 6ns, 166MHz(333Mbps)、Y= 6.7ns, 150MHz(300Mbps)、Z= 7.5ns, 133MHz(266Mbps)、8= 8ns, 125MHz(250Mbps)、0= 10ns, 100MHz(200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0= 64m/4K(15.6μs)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP II，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16= x16、18= x18）；RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4= 4M、8= 8M、16= 16M）；C代表封装类型（C=微型BGA、D=微型BGA [逆转CSP]、W= WL-CSP）；80代表速度（60= 600Mbps、80= 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。

（6）Micron（美光）

Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j

其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封装（TG=TSOPII封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度，分成以下四类：

（A）、DRAM

-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns

SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率@ CL3）

-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz

DDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率@ CL=2.5

-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz

（B）、Rambus（时钟率）

-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns

+的含义

-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）

-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）

-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）

-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）、DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）

-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）

-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。

例如MT 48 LC 16M8 A2 TG-75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz

（7）其它内存芯片编号

NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表Bank数（3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）；G5为TSOPII封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns〔125MHz CL 3〕，10=10ns〔PC100 CL 3〕，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pin TSOPII；JH=86-pin TSOP-II）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F-B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到"F"了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOII封装；B60代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。

SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f-gh其中ab为容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz〔CL3〕，10=100MHz〔PC66规格〕）。

TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPII封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。

IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8ns〔147MHz〕，75A=7.5NS〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。

三、什么是虚拟货币和区块链

区块链就是虚拟货币吗？

虚拟货币是承载于区块链上的，简单来说，区块链是一个在不安全环境下的去中心化的分布式数据库。而基于区块链诞生的各种虚拟货币，就是记录在这个数据库中的数据。

中心化账本，现在的银行就是，比如你给某个人转账，那这个信息只有你的账户信息和对方的账户信息在银行的数据库里面上更改了，其他人是不知道你们互相之间有交易情况的;

去中心化就是我给某个人转账了，我的余额的减少和这个人余额的增加都是会全网络广播的，谁都可以查到，那你的机器在记录这个这个转账信息过程就叫挖矿，虚拟货币就是来衡量你给这个网络做得贡献值的

我来通俗的给你讲一下区块链吧，不需用什么高深的专业术语，因为那样太难懂了，我给你打个比方吧，保证你一看就懂。

中国的麻将可以理解成区块链，假如你们四个ABCD要去打麻将，谁招呼的呢？A招呼的，那么A就是这个区块的发起者，A负责了找麻将馆，组织人员A可以邀请BCD，也可以是B邀请C、C邀请D，这没关系。

abcd凑在了一家麻将馆，开始打麻将，麻将机洗牌、abcd摸牌、打牌的过程可以理解成区块链中的类似于比特币的挖矿阶段。

每个人手里牌都是不一样的，就相当于区块里面的算法，但是有一个目标，都是为了胡去的，其中，A胡了，bcd啥也没说，一看就都知道A赢了，这叫区块链中的共识机制。

A胡了，A推倒麻将后，bcd都知道A怎么糊的，并且记在了心里，假如A这把赢了10块钱，其中AbCD都知道A赢了10块钱，这就叫区块链里面的分布式记账。

玩麻将的都知道怎样的麻将排列就可以胡，大家也都知道什么牌可以翻倍，那么这就可以理解为区块链中的智能合约。

A最后胡牌的牌面，在A推倒后大家都知道了，谁也不能篡改这个结果，因为大家都看着呢，这就可以理解成区块链之中的不可篡改性。

A宣布胡了之后，大家并没有再去找另外一个人，比如E、F、G...来验证，B赢了后也是这样...没有一个监管机构可以控制他们，都是他们自己管自己，这就是区块链里面的去中心化。

以此类推，abcd这四个哥们玩了一天的麻将，每一把的输赢abcd都记录了下来，不管他们用什么方式，脑子记忆也好，视频记录也好，笔记也好，他们打的越多，越能体现区块链的不可篡改性、去中心化性、分布式记账、共识性......

讲到这里，你基本上就懂了啥是区块链了吧，是不很简单！

第二个问题，区块链并不是虚拟货币，虚拟货币只是运用了区块链技术的一部分。

很多人认为虚拟货币就是区块链，比特币就是区块链，这其实是错误的。只是比特币的闻名让区块链进入了大众视野而已。

中本聪运用区块链技术发明了比特币，并且他将比特币定义为一种点对点的电子现金系统，“电子现金”一词表明中本聪想要发明的并不仅仅是一个支付系统，而是一套有着独立货币哲学的货币系统。

如今炒的火热的虚拟货币，还有挖矿等，被很多部门和国家所抵制，其根本目的并不是说浪费资源、电力等，而是因为拥有区块链技术的虚拟货币已经颠覆了传统金融，很容易造成传统金融的奔溃，我之前的问答里有讲过这方面的内容，这里就不累赘了。

可以说，中本聪及他发明的比特币是区块链的先驱，是中本聪把区块链技术带进了大家的视野。区块链技术的应用还是很广泛的，金融、医疗、服务业、大数据安全...

说一说这个大数据吧，众所周知，因为大数据安全最近的滴滴事件影响还是蛮大的，如果是运用区块链技术里面的去中心化，个人数据可以通过区块链得到自己保存自己的数据，何来的数据泄露呢？现在社会，随着科技的进步，只要是你玩手机连网的，你就没有什么数据安全所言，你的个人信息早已经被泄漏的体无完肤了，所以说区块链技术是社会进步的必然趋势。

关于区块链就讲这些吧，希望你可以从中学到一些东西，大家平时也可以多关注关注区块链的技术，提高自己的认知水平。（个人纯手工码字）

区块链是一种底层技术，这个技术可以发行虚拟币

区块链是一种技术，是一种分布式去中心化的技术，这种技术可以应用到存储。区块链并不是虚拟币，虚拟币只是用区块链技术做的数字货币，现在区块链与数字货币的联系打个比方，比如你在某链上做一个dapp的应用商城，那么你就可以发行一种关于这个商城的代币。

区块链与虚拟币真正的联系

现在追求的是区块链技术的应用，你开发一条公链，在这条公链上建设很多商城，金融，defi，房地产，旅游这样的dapp,这样这条公链才有了价值，随之这条公链发型的代币有了价值，就好比现在的以太坊，pinetwork

现在网上有太多的所谓“区块链数字货币”，我们看虚拟币是看它所在的公链可以解决什么问题，有什么价值，而不是盲目地去炒作，说区块链是底层技术的，我想是只知道区块链的皮毛。

如果你觉得这篇文章对你有帮助，就请你用发财的小手点一下关注

作者：冷冷的观点

区块链是一种技术，比特币这样的虚拟货币是区块链上应用产物。我的主页有跟多的视频解释哦。

2008年由「中本聪」第一次在比特币中提出了区块链的概念，比特币是一种点对点的电子现金系统，是最早也是最有名的区块链实施项目。

一般来说，区块链是一个由分布式网络中的节点维护的不可篡改的账本。这些节点通过执行被共识协议验证过的交易来各自维护一个账本的副本，账本以区块的形式存在，每个区块通过哈希和之前的区块相连。

区块链不等于虚拟币

区块链不是虚拟币，虚拟币是区块链技术的一种应用。这么说吧，区块链就是互联网，虚拟币是搜狐网或者腾讯网。区块链是基础设施，也是未来网络的基础架构，是中国的国家战略技术，目前已经被推到风口浪尖，下一步的信息化都是基于区块链的。

区块链就是一个分布式数据存储，点对点传输，共识机制的一种计算机模型，在通俗一点理解，区块链就是一个去中心化的数据库，这一项技术怎么用价值体现出来？在共识机制下形成了一个对区块链这种技术的东西给一个特定的代币，就是BTC

区块链：区块链就是一个分布式账本，通过去中心化、去信任的方式集中维护一个可靠的数据库。以支付宝交易为例，传统的交易方式是买家在淘宝平台购买商品，然后将购买商品的钱打到支付宝这个中介平台，待卖方发货以及买方确认收到货之后，再由买方通知支付宝将钱打到卖方账户。但区块链技术支撑的交易模式完全不同，买家和卖家可直接进行交易，不需要通过任何中间平台做信用交易，交易后系统通过广播的形式将交易信息发布到P2P网络中，所有收到交易信息的节点或主机会在确认信息无误后记录下这笔交易。虚拟币：互联网上的虚拟货币，如比特币（BTC）、福源币（FTC）莱特货币（LTC）等，比特币是一种由开源的P2P软体产生的电子货币，也有人将比特币意译为“比特金”，是一种网络虚拟货币。主要用于互联网金融投资。

区块链是一种新型互联网应用技术，其中运用分布式存储、密码学、智能合约、共识算法等新兴技术的应用，可以说是对现有的互联网协议进行创新的一种新的数据间的传输方法。目前区块链技术在不断迭代

1、区块链1.0，象征比特币的诞生；正式有了比特币才有了区块链技术的发展

2、区块链2.0，以太坊去中心化应用平台，以太坊引入智能合约的应用，代表着区块链技术新时代的开始；现在所有人的都可以在以太坊上创建项目，这几年也出现了不少好项目的落地

3、区块链3.0，DeFi开启去中心化金融时代，DeFi项目利用智能合约技术实现了传统金融机构的各种功能，如衍生品、借贷、交易、理财、资产管理、和保险等。目前对于DEFI的褒贬不一，这需要时间去验证

而区块链虽然起源于比特币，就像互联网刚出现时的第一台电脑，而比特币主要用于是矿工的挖矿奖励

数字货币即虚拟货币，最早的数字货币诞生于2009年，其发明者中本聪为了应对经济危机对于实体货币经济的冲击，比特币是最早的数字货币，后来出现了以太币、火币以及莱特币等虚拟货币，这些虚拟货币是不能用来交易的，那么，区块链与数字货币之间存在什么关系呢?数字货币与区块链是有机结合在一起的，是紧密相连的关系，区块链是数字货币的最底层技术也是最重要的技术手段。区块链最成功的实践是在货币领域的创新，作为数字货币的技术之一，数字货币的使用技术还包括移动支付、可信可控云计算、密码算法等，而比特币的风靡让人们知道区块链的技术框架及广阔的应用前景。

区块链其实就是一种新兴的数字记账簿，这种账簿拥有强大的功能，相当于一种云存储功能，由于每完成一定时段的交易后，就把该时段内的所有交易记录下来，且在所有的结点上都进行完整拷贝，这就是一个“区块”。因此，信息几乎没有被篡改的可能，除非有办法入侵几乎所有结点。一个个区块首尾相连，就构成了区块链。

虚拟货币，是用于电子流通的货币。现在虚拟货币的范围很大了，有Q币、比特币等等。随着数字货币的发展壮大，虚拟货币越来越丰富，可能会发展成未来的主流。比如BTC、EOS、BCBOT等等已经不止是虚拟货币了，已经有了算法、有了落地项目、有了技术。

虚拟货币主要由网络游戏服务商发行，用来购买游戏中的道具，如装备、服装等。但是目前虚拟货币的使用已经大大超出了此范畴，虚拟货币可以用来购买游戏点卡、实物和一些影片、软件的下载服务等。

扩展资料：

现实风险

虚拟货币作为电子商务的产物，开始扮演越来越重要的角色，而且，越来越和现实世界交汇。然而，在虚拟货币日益长大的同时，相关法规却相对滞后，埋下了不少隐患。

欺诈行为

网上虚拟货币的私下交易已经在一定程度上实现了虚拟货币与人民币之间的双向流通。这些交易者的活动表现为低价收购各种虚拟货币、虚拟产品，然后再高价卖出，依靠这种价格差赢取利润。随着这种交易的增多，甚至出现了虚拟造币厂。虚拟货币除了主营公司提供之外，还有一些专门从事“虚拟造币”的人，以专业玩游戏等方式获取虚拟货币，再转卖给其他玩家。

以温州地区为例，大概有七八家这样的“虚拟造币工厂”，从业者达到四五百人。这样不仅给虚拟货币本身的价格形成一种泡沫，给发行公司的正常销售造成困扰，同时也为各种网络犯罪提供了销赃和洗钱的平台，从而引发其他一些不良行为。

冲击体系

现代金融体系中，货币的发行方一般是各国央行，央行负责对货币运行进行管理和监督。而作为网络上用来替代现实货币流通的等价交换品，网络虚拟货币实质上同现实货币已经没有区别。不同的是，发行方不再是央行，而是各家网络公司。

如果虚拟货币的发展使其形成了统一市场，各个公司之间可以互通互兑，或者虚拟货币整合统一了，都是以相同标准和价格进行通用，那么从某种意义上来说虚拟货币就是通货了，很有可能会对传统金融体系或是经济运行形成威胁性冲击。

参考资料：百度百科-虚拟货币